台积电举办2022年北美技术论坛 会中揭示TSMC FINFLEXTM技术及2nm制程

2022-11-15 手机版
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6月17日消息,台积电于美国当地时间16日举办2022年北美技术论坛,会中揭示先进逻辑技术、特殊技术、以及三维集成电路(3D IC)技术的最新创新成果,首次推出采用纳米片晶体的下一代先进N2制程技术,以及支持N3与N3E制程的TSMC FINFLEX™技术。

技术论坛主要的技术焦点包括:

支持N3及N3E的TSMC FINFLEX™技术——

台积电领先业界的N3技术预计于2022年下半年进入量产,并将搭配创新的TSMC FINFLEX™构架,提供芯片设计人员无与伦比的灵活性。

TSMC FINFLEX™技术提供多样化的标准元件选择:3-2鳍结构支持超高性能、2-1鳍结构支持最佳功耗效率与晶体管密度、2-2鳍结构则是支持平衡两者的高效性能。TSMC FINFLEX™构架能够精准协助客户完成符合其需求的系统单晶片设计,各功能内存块采用最优化的鳍结构,支持所需的性能、功耗与面积,同时整合至相同的芯片上。

N2技术——

台积公司N2技术自N3大幅往前推进,在相同功耗下,速度增快10~15%,或在相同速度下,功耗降低25~30%,开启了高效性能的新纪元。N2将采用纳米片晶体管构架,使其性能及功耗效率提升一个世代,协助台积客户实现下一代产品的创新。除了行动运算的基本版本,N2技术平台亦涵盖高性能版本及完备的小芯片整合解决方案。N2预计于2025年开始量产。

扩大超低功耗平台 推出N6e技术——

台积公司于2020年技术论坛揭示N12e技术,奠基于此项技术的成功,台积公司正在开发下一世代 N6e 技术,主要提供边缘人工智慧及物联网装置所要求的运算能力及能源效率。N6e将以台积公司先进的7纳米制程为基础,其逻辑密度可望较N12e多三倍。N6e将成为台积公司超低功耗平台的一环,此平台完备的组合涵盖逻辑、射频、模拟、嵌入式非挥发性內存、以及电源管理IC解决方案,支持边缘人工智慧与物联网应用。

TSMC 3DFabric™三维硅晶堆叠解决方案——

台积公司展示客户所推出的两项突破性创新,各应用系统整合芯片堆叠(TSMC-SoIC™)解决方案:

全球首颗以TSMC-SoIC™为基础的中央处理器,采用芯片堆叠于晶圆之上(Chip-on-Wafer,CoW)技术来堆叠 三级缓存静态随机存取內存 。

创新的智慧处理器,采用晶圆堆叠于晶圆之上(Wafer-on-Wafer,WoW)技术堆叠于深沟槽电容芯片之上。

支持CoW及WoW的N7芯片已经量产,N5技术支持预计于2023年完成。

为了满足客户对于系统整合芯片及其他台积公司3DFabric™系统整合服务的需求,全球首座全自动化3DFabric™晶圆厂预计于2022年下半年开始生产。